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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

2019-12-11 10:35:41 來源:Vishay
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小型熱增強型PowerPAK® 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專門用于提高電池管理系統、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。
 
日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60 V器件,比這一封裝尺寸排名第二的產品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%。
 
從而降低電源通道壓降,減小功耗,提高效率。為提高功率密度,SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案。
 
為節省PCB空間,減少元件數量并簡化設計,該器件采用優化封裝結構,兩個單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點并排排列,加大連接提高PCB接觸面積,與傳統雙封裝型器件相比進一步減小電阻率。這種設計使MOSFET適合用于24 V系統和工業應用雙向開關,包括工廠自動化、電動工具、無人機、電機驅動器、白色家電、機器人、安防/監視和煙霧報警器。
 
SiSF20DN進行了100 % Rg和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。
 
新型MOSFET現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為30周。


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